刘伯温精选单双

您现在的位置:刘伯温精选单双 >二硅化钼电热元件物理性质
科学研究 Scientific research
二硅化钼电热元件物理性质

体积密度

Volume density

抗折强度

Bend strength

维氏硬度

Vickers hadness

气孔率

Porosity rate

吸水率

Water abortions

热伸长率

Hot extensional

5.5~5.6kg/cm²

15~25kg/ cm²

(HV)570kg/cm²

7.4%

1.2%

4%

二硅化钼电热元件物理性质

高温抗氧化性:高温氧化气氛下,元件的表面生成一层致密的石英(SiO2)保护层以防止Mosi2 继续氧化。当元件温度大于1700°C,熔点为1710°C的SiO2保护层熔融,由于表面的张力的作用,SiO2融聚成滴,而失去保护作用。元件在氧化气氛下,再继续使用时,SiO2保护层重新生成。

必须指出的是,元件不宜在400-700°C范围内长时间使用。否则元件会因低温的强烈氧化作用而粉化。